TF202THC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TF202THC  📄📄 

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15000 Ohm

Тип корпуса: VTFP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TF202THC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TF202THC даташит

 ..1. Size:288K  onsemi
 tf202thc.pdf pdf_icon

TF202THC

Ordering number ENA1285B TF202THC N-Channel JFET http //onsemi.com 20V, 140 to 350 A, 1.0mS, VTFP Features Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristics Excellent transient characteristics Adoption of FBET process

 9.1. Size:220K  utc
 tf202.pdf pdf_icon

TF202THC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TF202 N-CHANNEL JFET N-CHANNEL JFET CAPACITOR MICROPHONE APPLICATIONS DESCRIPTION The UTC TF202 uses advanced trench technology to provide excellent RDS (ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in capacitor microphone applications. FEATURES *Suited for use in audio, telephone capacitor mi

Другие IGBT... SFT1423, SFT1431, SFT1440, SFT1443, SFT1445, SFT1446, SFT1450, SMP3003, IRFP260N, TF252, TF252TH, TF256, TF256TH, WPB4002, FDM15-06KC5, FQD2N60CTM, FDM47-06KC5