TF252TH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TF252TH
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.001 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.1 V
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15000 Ohm
Paquete / Cubierta: VTFP
Búsqueda de reemplazo de TF252TH MOSFET
TF252TH Datasheet (PDF)
tf252th.pdf
Ordering number : ENA0842ATF252THN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, VTFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Best suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristi
tf252.pdf
Ordering number : ENA0841BTF252N-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, USFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products [1.0mm 0.6mm 0.27mm (max 0.3mm)] Best suited for use in Electret Condenser Microphone for audio equipments and telephone
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Liste
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