Справочник MOSFET. TF252TH

 

TF252TH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TF252TH
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15000 Ohm
   Тип корпуса: VTFP

 Аналог (замена) для TF252TH

 

 

TF252TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  onsemi
 tf252th.pdf

TF252TH TF252TH

Ordering number : ENA0842ATF252THN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, VTFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Best suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristi

 9.1. Size:329K  onsemi
 tf252.pdf

TF252TH TF252TH

Ordering number : ENA0841BTF252N-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, USFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products [1.0mm 0.6mm 0.27mm (max 0.3mm)] Best suited for use in Electret Condenser Microphone for audio equipments and telephone

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top