TF252TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TF252TH
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.001 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15000 Ohm
Тип корпуса: VTFP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TF252TH Datasheet (PDF)
tf252th.pdf

Ordering number : ENA0842ATF252THN-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, VTFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products Best suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones Excellent voltage characteristi
tf252.pdf

Ordering number : ENA0841BTF252N-Channel JFEThttp://onsemi.com20V, 140 to 350 A, 1.4mS, USFPFeatures High gain : GV=1.0dB typ (VCC=2V, RL=2.2k , Cin=5pF, VIN=10mV, f=1kHz) Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products [1.0mm 0.6mm 0.27mm (max 0.3mm)] Best suited for use in Electret Condenser Microphone for audio equipments and telephone
Другие MOSFET... SFT1440 , SFT1443 , SFT1445 , SFT1446 , SFT1450 , SMP3003 , TF202THC , TF252 , AON6414A , TF256 , TF256TH , WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 .
History: AM2334N | WSD3028DN | IRLD120PBF | IPN50R650CE | SIA483DJ | IXFN32N80P | IXTH13N80
History: AM2334N | WSD3028DN | IRLD120PBF | IPN50R650CE | SIA483DJ | IXFN32N80P | IXTH13N80



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor