FDM15-06KC5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM15-06KC5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
- Selección de transistores por parámetros
FDM15-06KC5 Datasheet (PDF)
fmd15-06kc5 fdm15-06kc5.pdf

FMD 15-06KC5Advanced Technical InformationFDM 15-06KC5ID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith HiPerDyn FREDRDS(on) max = 0.165 Buck and Boost Topologies3 3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceT2500 V electrical isolation5DN-Channel Enhancement Mode144Low RDSon, high VDSS MOSFET isolated backE72873 5Ultra low gate char
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: GWM100-0085X1-SMD | DH026N06E | FDP085N10A
History: GWM100-0085X1-SMD | DH026N06E | FDP085N10A



Liste
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