FDM15-06KC5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDM15-06KC5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSI4
Аналог (замена) для FDM15-06KC5
FDM15-06KC5 Datasheet (PDF)
fmd15-06kc5 fdm15-06kc5.pdf

FMD 15-06KC5Advanced Technical InformationFDM 15-06KC5ID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith HiPerDyn FREDRDS(on) max = 0.165 Buck and Boost Topologies3 3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceT2500 V electrical isolation5DN-Channel Enhancement Mode144Low RDSon, high VDSS MOSFET isolated backE72873 5Ultra low gate char
Другие MOSFET... SFT1450 , SMP3003 , TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , WPB4002 , P55NF06 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 .
History: 2SK805 | AUIRF2903ZL | BRD1N60
History: 2SK805 | AUIRF2903ZL | BRD1N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor