Справочник MOSFET. FDM15-06KC5

 

FDM15-06KC5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDM15-06KC5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
 

 Аналог (замена) для FDM15-06KC5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDM15-06KC5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  ixys
 fmd15-06kc5 fdm15-06kc5.pdf pdf_icon

FDM15-06KC5

FMD 15-06KC5Advanced Technical InformationFDM 15-06KC5ID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith HiPerDyn FREDRDS(on) max = 0.165 Buck and Boost Topologies3 3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceT2500 V electrical isolation5DN-Channel Enhancement Mode144Low RDSon, high VDSS MOSFET isolated backE72873 5Ultra low gate char

Другие MOSFET... SFT1450 , SMP3003 , TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , WPB4002 , IRFB4110 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 .

History: IRF520N

 

 
Back to Top

 


 
.