FMM50-025TF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMM50-025TF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: ISOPLUSI4

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FMM50-025TF datasheet

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FMM50-025TF

Advance Technical Information Trench Gate HiperFET VDSS = 250V FMM50-025TF N-Channel Power MOSFET ID25 = 30A RDS(on) 50m 3 3 T1 trr(typ) = 84ns 5 5 Phase Leg Topology 4 4 T2 1 1 ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C TJM 150 C 1 Tstg -55 ... +150 C Isolated Tab VISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Otros transistores... FDMS86368F085, FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, AO3401, FMM60-02TF, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD