FMM50-025TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMM50-025TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4

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FMM50-025TF Datasheet (PDF)

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fmm50-025tf.pdf

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 250VFMM50-025TFN-Channel Power MOSFETID25 = 30A RDS(on) 50m 33T1trr(typ) = 84ns55Phase Leg Topology44T211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 C1Tstg -55 ... +150 CIsolated TabVISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Otros transistores... FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF , IRF1010E , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: