Справочник MOSFET. FMM50-025TF

 

FMM50-025TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMM50-025TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSI4
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM50-025TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  ixys
fmm50-025tf.pdfpdf_icon

FMM50-025TF

Advance Technical InformationTrench Gate HiperFETVDSS = 250VFMM50-025TFN-Channel Power MOSFETID25 = 30A RDS(on) 50m 33T1trr(typ) = 84ns55Phase Leg Topology44T211ISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +150 CTJM 150 C1Tstg -55 ... +150 CIsolated TabVISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP350A | FDMS3606S | FMM75-01F

 

 
Back to Top

 


 
.