FMM50-025TF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FMM50-025TF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSI4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FMM50-025TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMM50-025TF даташит

 ..1. Size:96K  ixys
 fmm50-025tf.pdf pdf_icon

FMM50-025TF

Advance Technical Information Trench Gate HiperFET VDSS = 250V FMM50-025TF N-Channel Power MOSFET ID25 = 30A RDS(on) 50m 3 3 T1 trr(typ) = 84ns 5 5 Phase Leg Topology 4 4 T2 1 1 ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +150 C TJM 150 C 1 Tstg -55 ... +150 C Isolated Tab VISOLD 50/60HZ, RMS, t =

Другие IGBT... FDMS86368F085, FMD47-06KC5, FDBL86361F085, FMK75-01F, FMM110-015X2F, FMM150-0075X2F, FMM22-05PF, FMM22-06PF, AO3401, FMM60-02TF, FMM75-01F, FMP26-02P, FMP36-015P, FMP76-01T, GMM3x100-01X1-SMD, FDMS0306AS, GMM3x120-0075X2-SMD