GWM100-0085X1-SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GWM100-0085X1-SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GWM100-0085X1-SL

GWM100-0085X1-SL Datasheet (PDF)

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gwm100-0085x1-smd.pdf

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

0.2. Size:197K ixys
gwm100-0085x1-sl.pdf

6.1. Size:290K ixys
gwm100-01x1-smd.pdf

GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: