Справочник MOSFET. GWM100-0085X1-SL

 

GWM100-0085X1-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM100-0085X1-SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
 

 Аналог (замена) для GWM100-0085X1-SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM100-0085X1-SL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:182K  ixys
gwm100-0085x1-smd.pdfpdf_icon

GWM100-0085X1-SL

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

 0.2. Size:197K  ixys
gwm100-0085x1-sl.pdfpdf_icon

GWM100-0085X1-SL

GWM100-0085X1VDSS = 85 VThree phase full BridgeID25 = 103 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 5.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 85 V - electric power steering

 6.1. Size:290K  ixys
gwm100-01x1-smd.pdfpdf_icon

GWM100-0085X1-SL

GWM 100-01X1VDSS = 100 VThree phase full BridgeID25 = 90 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 7.5 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 100 V - electric power steering

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.