GWM100-01X1-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GWM100-01X1-SMD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 90 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0085 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUSDIL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GWM100-01X1-SMD

GWM100-01X1-SMD Datasheet (PDF)

1.1. gwm100-01x1-smd.pdf Size:290K _ixys

GWM 100-01X1 VDSS = 100 V Three phase full Bridge ID25 = 90 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 7.5 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings • in automobiles VDSS TJ = 25°C to 150°C 100 V - electric power steering

2.1. gwm100-0085x1-sl.pdf Size:197K _ixys

GWM100-0085X1 VDSS = 85 V Three phase full Bridge ID25 = 103 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 5.5 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings • in automobiles VDSS TJ = 25°C to 150°C 85 V - electric power steering

2.2. gwm100-0085x1-smd.pdf Size:182K _ixys