GWM120-0075X1-SL Todos los transistores

 

GWM120-0075X1-SL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM120-0075X1-SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
 

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GWM120-0075X1-SL datasheet

 0.1. Size:292K  ixys
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GWM120-0075X1-SL

GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TVJ = 25 C to 150 C 75 V - electric power steerin

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History: TK5P65W

 

 
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