GWM120-0075X1-SL Todos los transistores

 

GWM120-0075X1-SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GWM120-0075X1-SL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0049 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUSDIL

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GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)

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GWM120-0075X1-SL
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GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin

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