GWM120-0075X1-SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GWM120-0075X1-SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
Búsqueda de reemplazo de GWM120-0075X1-SL MOSFET
GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)
gwm120-0075x1-smd.pdf

GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin
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History: J106 | 2N7272R4 | HY3506P | R6006JNJ
History: J106 | 2N7272R4 | HY3506P | R6006JNJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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