GWM120-0075X1-SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GWM120-0075X1-SL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Corriente continua de drenaje (Id): 110 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0049 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUSDIL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GWM120-0075X1-SL

GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)

1.1. gwm120-0075x1-smd.pdf Size:292K _ixys

GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings • in automobiles VDSS TVJ = 25°C to 150°C 75 V - electric power steerin

Otros transistores... GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , BF245C , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: