GWM120-0075X1-SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GWM120-0075X1-SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A
Время нарастания (tr): 100 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0049 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SL
GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)
1.1. gwm120-0075x1-smd.pdf 
Size:292K _ixys
GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings • in automobiles VDSS TVJ = 25°C to 150°C 75 V - electric power steerin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
