GWM120-0075X1-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GWM120-0075X1-SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SL
GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)
gwm120-0075x1-smd.pdf

GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin
Другие MOSFET... GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , STF13NM60N , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL .
History: KI5515DC | IPP77N06S2-12 | AM7401P
History: KI5515DC | IPP77N06S2-12 | AM7401P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733