Справочник MOSFET. GWM120-0075X1-SL

 

GWM120-0075X1-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM120-0075X1-SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
 

 Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:292K  ixys
 gwm120-0075x1-smd.pdf pdf_icon

GWM120-0075X1-SL

GWM 120-0075X1VDSS = 75 VThree phase full BridgeID25 = 110 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 4.0 mWin DCB isolated high current packageL+G3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steerin

Другие MOSFET... GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , STF13NM60N , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.