GWM120-0075X1-SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GWM120-0075X1-SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM120-0075X1-SL даташит

 0.1. Size:292K  ixys
 gwm120-0075x1-smd.pdf pdf_icon

GWM120-0075X1-SL

GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TVJ = 25 C to 150 C 75 V - electric power steerin

Другие IGBT... GWM100-0085X1-SL, FDMS3610S, GWM100-0085X1-SMD, FDMS3606S, GWM100-01X1-SL, FDMS3604S, GWM100-01X1-SMD, FDMS3602AS, IRFP250, FDMS3600AS, GWM120-0075X1-SMD, FDMS0310S, GWM160-0055X1-SL, FDMS0302S, GWM160-0055X1-SMD, FCP190N65F, GWM180-004X2-SL