Справочник MOSFET. GWM120-0075X1-SL

 

GWM120-0075X1-SL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GWM120-0075X1-SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110 A

Время нарастания (tr): 100 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0049 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM120-0075X1-SL

 

 

GWM120-0075X1-SL Datasheet (PDF)

1.1. gwm120-0075x1-smd.pdf Size:292K _ixys

GWM120-0075X1-SL
GWM120-0075X1-SL

GWM 120-0075X1 VDSS = 75 V Three phase full Bridge ID25 = 110 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 4.0 mW in DCB isolated high current package L+ G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings • in automobiles VDSS TVJ = 25°C to 150°C 75 V - electric power steerin

Другие MOSFET... GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , BF245C , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL .

 

 
Back to Top