GWM180-004X2-SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GWM180-004X2-SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
Búsqueda de reemplazo de GWM180-004X2-SL MOSFET
GWM180-004X2-SL Datasheet (PDF)
gwm180-004x2-smd.pdf

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr
Otros transistores... GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , 75N75 , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P .
History: NP45N06VUK | IPI50N12S3L-15 | WMM071N15HG2 | SSP65R099SFD | NCEP060N10 | STE45NK80ZD | IRF7343PBF
History: NP45N06VUK | IPI50N12S3L-15 | WMM071N15HG2 | SSP65R099SFD | NCEP060N10 | STE45NK80ZD | IRF7343PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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