Справочник MOSFET. GWM180-004X2-SL

 

GWM180-004X2-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM180-004X2-SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM180-004X2-SL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  ixys
 gwm180-004x2-smd.pdf pdf_icon

GWM180-004X2-SL

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTH30N60L2 | SIHG47N60S | IRFH5053PBF | 9N95 | 2SK1941-01R | H2N65D | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.