GWM180-004X2-SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GWM180-004X2-SL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
Аналог (замена) для GWM180-004X2-SL
GWM180-004X2-SL Datasheet (PDF)
gwm180-004x2-smd.pdf

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr
Другие MOSFET... GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , 75N75 , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P .
History: SSM5H07TU | 2SK4204LS | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | SM1A24NSK | FQA13N50CF109 | AP15P15GM
History: SSM5H07TU | 2SK4204LS | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | SM1A24NSK | FQA13N50CF109 | AP15P15GM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent