GWM180-004X2-SL - описание и поиск аналогов

 

GWM180-004X2-SL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GWM180-004X2-SL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUSDIL

Аналог (замена) для GWM180-004X2-SL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM180-004X2-SL даташит

 0.1. Size:288K  ixys
 gwm180-004x2-smd.pdf pdf_icon

GWM180-004X2-SL

GWM 180-004X2 VDSS = 40 V Three phase full Bridge ID25 = 180 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 1.9 mW in DCB isolated high current package L+ Preliminary data G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 40 V - electr

Другие MOSFET... GWM120-0075X1-SL , FDMS3600AS , GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , 18N50 , FCH043N60 , GWM180-004X2-SMD , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P .

History: SE150110G | SFS06R10DF | AOD4120

 

 

 

 

↑ Back to Top
.