GWM180-004X2-SMD Todos los transistores

 

GWM180-004X2-SMD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GWM180-004X2-SMD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSDIL
 

 Búsqueda de reemplazo de GWM180-004X2-SMD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GWM180-004X2-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  ixys
 gwm180-004x2-smd.pdf pdf_icon

GWM180-004X2-SMD

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr

Otros transistores... GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , CS150N03A8 , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P , IXFA130N10T , IXFA130N10T2 .

History: DH012N03F | NCEP095N10AG | 50N06L-TQ2-R | SFG10R12AF | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.