GWM180-004X2-SMD. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GWM180-004X2-SMD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUSDIL
Аналог (замена) для GWM180-004X2-SMD
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GWM180-004X2-SMD даташит
gwm180-004x2-smd.pdf
GWM 180-004X2 VDSS = 40 V Three phase full Bridge ID25 = 180 A with Trench MOSFETs RDSon typ. = 1.9 mW in DCB isolated high current package L+ Preliminary data G3 G5 G1 S3 S5 S1 L1 L2 L3 Straight leads Surface Mount Device G4 G6 G2 S4 S6 S2 L- Applications MOSFETs AC drives Symbol Conditions Maximum Ratings in automobiles VDSS TJ = 25 C to 150 C 40 V - electr
Другие MOSFET... GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , IRF520 , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P , IXFA130N10T , IXFA130N10T2 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet

