Справочник MOSFET. GWM180-004X2-SMD

 

GWM180-004X2-SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GWM180-004X2-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL

 Аналог (замена) для GWM180-004X2-SMD

 

 

GWM180-004X2-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  ixys
 gwm180-004x2-smd.pdf

GWM180-004X2-SMD GWM180-004X2-SMD

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top