Справочник MOSFET. GWM180-004X2-SMD

 

GWM180-004X2-SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GWM180-004X2-SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUSDIL
 

 Аналог (замена) для GWM180-004X2-SMD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GWM180-004X2-SMD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:288K  ixys
 gwm180-004x2-smd.pdf pdf_icon

GWM180-004X2-SMD

GWM 180-004X2VDSS = 40 VThree phase full BridgeID25 = 180 Awith Trench MOSFETsRDSon typ. = 1.9 mWin DCB isolated high current packageL+Preliminary dataG3 G5G1S3 S5S1L1L2L3Straight leads Surface Mount DeviceG4 G6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFETsAC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TJ = 25C to 150C 40 V - electr

Другие MOSFET... GWM120-0075X1-SMD , FDMS0310S , GWM160-0055X1-SL , FDMS0302S , GWM160-0055X1-SMD , FCP190N65F , GWM180-004X2-SL , FCH043N60 , CS150N03A8 , FDB86360F085 , IXFA102N15T , IXFA10N60P , IXFA10N80P , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P , IXFA130N10T , IXFA130N10T2 .

History: R5009FNJ | SWD630 | 50N06L-TF3-T | SGP100N042 | WMJ18N50C4 | FS18SM-9 | STP240N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.