IXFA5N100P Todos los transistores

 

IXFA5N100P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA5N100P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO263

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IXFA5N100P datasheet

 8.1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFA5N100P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

 9.1. Size:313K  ixys
 ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf pdf_icon

IXFA5N100P

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 300V IXFA56N30X3 Power MOSFET ID25 = 56A IXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXFA) Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

Otros transistores... IXFA16N50P , IXFA180N10T2 , IXFA230N075T2 , IXFA230N075T2-7 , IXFA3N120 , IXFA3N80 , IXFA4N100P , IXFA4N100Q , IRFB7545 , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 .

History: SI3134KDW | SI1900DL | WSF40N10A

 

 

 

 

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