IXFA6N120P Todos los transistores

 

IXFA6N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA6N120P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 92 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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IXFA6N120P Datasheet (PDF)

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