IXFA7N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFA7N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFA7N100P

IXFA7N100P Datasheet (PDF)

8.1. Size:159K ixys
ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

9.1. Size:180K ixys
ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: