IXFB120N50P2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB120N50P2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1890 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXFB120N50P2 MOSFET
IXFB120N50P2 Datasheet (PDF)
ixfb100n50p.pdf
IXFB 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30
ixfb150n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFB150N65X2Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSTabVGSS Continuous 30
Otros transistores... IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , IXFA7N80P , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , 60N06 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P .
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