IXFB132N50P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB132N50P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1890 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 132 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 250 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB132N50P3

IXFB132N50P3 Datasheet (PDF)

5.1. ixfb100n50p.pdf Size:173K _ixys

IXFB 100N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 49 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 200 ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25� C to 150� C 500 V VDGR TJ = 25� C to 150� C; RGS = 1 M? 500 V VGSS Continuous �30 V (TAB) G VGSM Transient �40 V D S

5.2. ixfb150n65x2.pdf Size:109K _ixys

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFB150N65X2 Power MOSFET ID25 = 150A   RDS(on)  17m       N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 650 V G D VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V S Tab VGSS Continuous  30

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Liste

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