Справочник MOSFET. IXFB132N50P3

 

IXFB132N50P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB132N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 132 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB132N50P3 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:173K  ixys
 ixfb100n50p.pdf pdf_icon

IXFB132N50P3

IXFB 100N50PVDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 100 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuous 30

 9.2. Size:109K  ixys
 ixfb150n65x2.pdf pdf_icon

IXFB132N50P3

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFB150N65X2Power MOSFET ID25 = 150A RDS(on) 17m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSTabVGSS Continuous 30

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JCS7N65FE | STB10NK60ZT4 | NCEAP016N10LL | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.