IXFB40N110P Todos los transistores

IXFB40N110P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB40N110P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: PLUS264

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros