IXFB40N110P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFB40N110P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 310 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB40N110P

IXFB40N110P Datasheet (PDF)

4.1. Size:137K ixys
ixfb40n110q3.pdf

Preliminary Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFB40N110Q3Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VDSVGSS Continuous 30 VTabVGS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: