Справочник MOSFET. IXFB40N110P

 

IXFB40N110P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFB40N110P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB40N110P Datasheet (PDF)

 4.1. Size:137K  ixys
 ixfb40n110q3.pdf pdf_icon

IXFB40N110P

Preliminary Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFB40N110Q3Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VDSVGSS Continuous 30 VTabVGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ELM5J400RA | SSG4543C | CP640 | QM0007G | SMK1060P | SVS70R600SE3 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.