Справочник MOSFET. IXFB40N110P

 

IXFB40N110P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFB40N110P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: PLUS264

 Аналог (замена) для IXFB40N110P

 

 

IXFB40N110P Datasheet (PDF)

 4.1. Size:137K  ixys
 ixfb40n110q3.pdf

IXFB40N110P IXFB40N110P

Preliminary Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFB40N110Q3Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VDSVGSS Continuous 30 VTabVGS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top