IXFB40N110P - описание и поиск аналогов

 

IXFB40N110P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFB40N110P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: PLUS264

Аналог (замена) для IXFB40N110P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFB40N110P даташит

 4.1. Size:137K  ixys
 ixfb40n110q3.pdf pdf_icon

IXFB40N110P

Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

Другие MOSFET... IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IRF840 , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 .

History: TK3A90E | WMO26N65F2 | HY3810PM | SI3139KL3 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.