IXFB44N100P Todos los transistores

 

IXFB44N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB44N100P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 44 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 305 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.22 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB44N100P

 

IXFB44N100P Datasheet (PDF)

5.1. ixfb40n110q3.pdf Size:137K _ixys

IXFB44N100P
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Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A   Q3-Class RDS(on)  260m       N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 1100 V G VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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