IXFB44N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB44N100Q3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 44 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V
Carga de compuerta (Qg): 264 nC
Tiempo de elevación (tr): 300 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.22 Ohm
Empaquetado / Estuche: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB44N100Q3
IXFB44N100Q3 Datasheet (PDF)
5.1. ixfb40n110q3.pdf 
Size:137K _ixys
Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 1100 V G VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
