IXFB44N100Q3 Todos los transistores

 

IXFB44N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB44N100Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 44 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 264 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.22 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB44N100Q3

 

IXFB44N100Q3 Datasheet (PDF)

5.1. ixfb40n110q3.pdf Size:137K _ixys

IXFB44N100Q3
IXFB44N100Q3

Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A   Q3-Class RDS(on)  260m       N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 1100 V G VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

Otros transistores... IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , BS170 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P .

 

 
Back to Top

 


IXFB44N100Q3
  IXFB44N100Q3
  IXFB44N100Q3
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SWP069R10VS | SWD069R10VS | SWI069R10VS | NTHL082N65S3F | NSVJ3557SA3 | NP90N06VLG | NP90N055VUK | NP90N055VUG | NP90N055VDG | NP90N055PUH | NP90N055PDH | NP90N055NUK | NP90N055NUH | NP90N055NDH | NP90N055MUK |

 

 

 
Back to Top