IXFB44N100Q3 Todos los transistores

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IXFB44N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB44N100Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 44 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.22 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

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IXFB44N100Q3 Datasheet (PDF)

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