IXFB44N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB44N100Q3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXFB44N100Q3 MOSFET
IXFB44N100Q3 Datasheet (PDF)
ixfb40n110q3.pdf
Preliminary Technical InformationHiperFETTM VDSS = 1100VIXFB40N110Q3Power MOSFET ID25 = 40A Q3-Class RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic RectifierPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 VDSVGSS Continuous 30 VTabVGS
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History: IXFB60N80P
History: IXFB60N80P
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