IXFB44N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB44N100Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 44 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 264 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.22 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS264

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB44N100Q3

IXFB44N100Q3 Datasheet (PDF)

5.1. ixfb40n110q3.pdf Size:137K _ixys

Preliminary Technical Information HiperFETTM VDSS = 1100V IXFB40N110Q3 Power MOSFET ID25 = 40A   Q3-Class RDS(on)  260m       N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 1100 V G VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1100 V D S VGSS Continuous 30 V Tab VGS

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Liste

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