IXFB52N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB52N90P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS264
IXFB52N90P Datasheet (PDF)
ixfb52n90p.pdf

VDSS = 900VIXFB52N90PPolarTM Power MOSFETID25 = 52AHiPerFETTM RDS(on) 160m trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 900 VVGSS Continuous 30 VG(TAB)DVGSM
ixfb50n80q2.pdf

HiPerFETTMIXFB 50N80Q2 VDSS = 800 VPower MOSFETsID25 = 50 ARDS(on)= 0.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg trr 300 ns High dV/dt, Low trrPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VG(TAB)DVGS Conti
Otros transistores... IXFB210N20P , IXFB300N10P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , 50N06 , IXFB60N80P , IXFB62N80Q3 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P .
History: 2SK850 | SML501R1BN
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Liste
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