IXFB52N90P Todos los transistores

 

IXFB52N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFB52N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFB52N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  ixys
 ixfb52n90p.pdf pdf_icon

IXFB52N90P

VDSS = 900VIXFB52N90PPolarTM Power MOSFETID25 = 52AHiPerFETTM RDS(on) 160m trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 900 VVGSS Continuous 30 VG(TAB)DVGSM

 9.1. Size:558K  ixys
 ixfb50n80q2.pdf pdf_icon

IXFB52N90P

HiPerFETTMIXFB 50N80Q2 VDSS = 800 VPower MOSFETsID25 = 50 ARDS(on)= 0.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg trr 300 ns High dV/dt, Low trrPLUS 264TM (IXFB)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VG(TAB)DVGS Conti

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: KRF1302S | SIR496DP | IRFR9220 | SI4804CDY | AO4914 | IRFR3504PBF | BFC23

 

 
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