IXFB62N80Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFB62N80Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 62 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 270 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: PLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3 Datasheet (PDF)

5.1. ixfb60n80p.pdf Size:166K _ixys

IXFB 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 140 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 250 ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25� C to 150� C 800 V VDGR TJ = 25� C to 150� C; RGS = 1 M? 800 V VGSS Continuous �30 V (TAB) G VGSM Transient �40 V D S

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: