IXFB62N80Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB62N80Q3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1560 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 62 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V
Carga de compuerta (Qg): 270 nC
Tiempo de elevación (tr): 300 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Empaquetado / Estuche: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFB62N80Q3
IXFB62N80Q3 Datasheet (PDF)
5.1. ixfb60n80p.pdf 
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IXFB 60N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 140 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 250 ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 800 V VGSS Continuous 30 V (TAB) G VGSM Transient 40 V D S
Otros transistores... IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , 2N7000 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P .
