IXFB62N80Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFB62N80Q3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1560 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXFB62N80Q3 MOSFET
IXFB62N80Q3 Datasheet (PDF)
ixfb60n80p.pdf

IXFB 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 140 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS264TM (IXFB)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Continuous 30
Otros transistores... IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB40N110P , IXFB44N100P , IXFB44N100Q3 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFB60N80P , IRFZ44 , IXFB70N60Q2 , IXFB72N55Q2 , IXFB80N50Q2 , IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P .
History: STT6802 | P1504BVG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923