IXFC15N80Q Todos los transistores

 

IXFC15N80Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC15N80Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXFC15N80Q Datasheet (PDF)

 9.1. Size:229K  ixys
 ixfc14n60p.pdf pdf_icon

IXFC15N80Q

IXFC 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ

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 ixfc16n50p.pdf pdf_icon

IXFC15N80Q

IXFC 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 10 APower MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedISOPLUS220TM (IXFC)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR T

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 ixfc110n10p.pdf pdf_icon

IXFC15N80Q

IXFC 110N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TMtrr 150 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ

Otros transistores... IXFB82N60P , IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IRFP250N , IXFC16N50P , IXFC16N80P , IXFC20N80P , IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P .

History: NTF3055L108T1G | SSM3J16TE

 

 
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