IXFC20N80P Todos los transistores

 

IXFC20N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC20N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 160 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 85 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.57 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFC20N80P

 

IXFC20N80P Datasheet (PDF)

1.1. ixfc20n80p ixfr20n80p.pdf Size:133K _ixys

IXFC20N80P
IXFC20N80P

IXFC 20N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 20N80P ID25 = 10 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 500 m? ? ? ? ? ? ? Electrically Isolated Back Surface ? trr ? 250 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25C to 150C 800 V E153432 VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGSS

5.1. ixfc26n50p.pdf Size:175K _ixys

IXFC20N80P
IXFC20N80P

IXFC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 15 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 260 m? ? ? ? ? ? ? ISOPLUS 220TM (Electrically Isolated Tab) ? trr ? 250 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V VGS

5.2. ixfc22n60p.pdf Size:231K _ixys

IXFC20N80P
IXFC20N80P

IXFC 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 12 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 360 m? ? ? ? ? ? ? ISOPLUS220TM ? trr ? 200 ns ? ? ? (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 600

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