IXFC22N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFC22N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFC22N60P

IXFC22N60P Datasheet (PDF)

..1. Size:231K ixys
ixfc22n60p.pdf

IXFC 22N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 12 APower MOSFET RDS(on) 360 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VE153432VDGR T

9.1. Size:175K ixys
ixfc26n50p.pdf

IXFC 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS 220TM(Electrically Isolated Tab)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25

9.2. Size:133K ixys
ixfc20n80p ixfr20n80p.pdf

IXFC 20N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 20N80P ID25 = 10 APower MOSFET RDS(on) 500 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VE153432VDGR TJ = 25C to

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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