2SK996 Todos los transistores

 

2SK996 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK996

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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2SK996 datasheet

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2SK996

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK996 DESCRIPTION Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE NIT V Drain-Source Voltage (V =0) 600

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History: FQU1N60C | FQU20N06L | FQU17P06

 

 

 


 
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