2SK996. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK996

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK996

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK996 даташит

 ..1. Size:65K  1
2sk996.pdfpdf_icon

2SK996

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
2sk996.pdfpdf_icon

2SK996

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK996 DESCRIPTION Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE NIT V Drain-Source Voltage (V =0) 600

 9.1. Size:2765K  1
2sk992.pdfpdf_icon

2SK996

Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su

 9.2. Size:2599K  1
2sk991.pdfpdf_icon

2SK996

Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su Downloaded from Datasheet.su

Другие IGBT... 2SK988, 2SK989, 2SK990, 2SK991, 2SK992, 2SK993, 2SK994, 2SK995, IRFB4110, 2SK997, 2SK998, 3N124, 3N125, 3N126, 3N140, 3N141, 3N159