IXFC74N20P Todos los transistores

 

IXFC74N20P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC74N20P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXFC74N20P datasheet

 ..1. Size:120K  ixys
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IXFC74N20P

IXFC 74N20P VDSS = 200 V PolarHTTM HiPerFET ID25 = 35 A Power MOSFET RDS(on) = 36 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avalanche Rated ISOPLUS 220TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M

Otros transistores... IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IRF9540N , IXFC80N085 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q .

History: CM5N50F | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60 | SLH60R075GTDI

 

 

 

 

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