IXFC74N20P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFC74N20P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: ISOPLUS220
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IXFC74N20P datasheet
ixfc74n20p.pdf
IXFC 74N20P VDSS = 200 V PolarHTTM HiPerFET ID25 = 35 A Power MOSFET RDS(on) = 36 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avalanche Rated ISOPLUS 220TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M
Otros transistores... IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IRF9540N , IXFC80N085 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q .
History: P0260ATFS
History: P0260ATFS
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