IXFE180N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFE180N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 158 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 360 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS227

Otros transistores... IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IRF9540 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 , IXFE44N60 , IXFE48N50Q .