IXFE180N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFE180N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 158 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS227
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IXFE180N20 Datasheet (PDF)
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History: SST202 | CJD04N60A | AO4932 | STD5NK50Z | NCE85H21TC | UT8205AL-S08-R
History: SST202 | CJD04N60A | AO4932 | STD5NK50Z | NCE85H21TC | UT8205AL-S08-R



Liste
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