IXFE23N100 Todos los transistores

 

IXFE23N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFE23N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 500 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 250 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.43 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS227

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IXFE23N100 Datasheet (PDF)

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