IXFE23N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IXFE23N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 250 nC
   Время нарастания (tr): 250 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.43 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS227

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .