IXFE50N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFE50N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: ISOPLUS227
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IXFE50N50 datasheet
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Otros transistores... IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 , IXFE44N60 , IXFE48N50Q , IXFE48N50QD2 , IXFE48N50QD3 , IRFB3607 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T .
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