IXFG55N50 Todos los transistores

 

IXFG55N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFG55N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 400 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 48 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 330 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISO264

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IXFG55N50 Datasheet (PDF)

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