IXFH110N25T Todos los transistores

 

IXFH110N25T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH110N25T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 694 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFH110N25T datasheet

 6.1. Size:309K  ixys
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IXFH110N25T

IXFH 110N10P VDSS = 100 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 110N10P ID25 = 110 A Power MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

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IXFH110N25T

 8.2. Size:95K  ixys
 ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf pdf_icon

IXFH110N25T

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

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History: CS10N80V | BUK6211-75C

 

 

 

 

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