Справочник MOSFET. IXFH110N25T

 

IXFH110N25T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH110N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH110N25T Datasheet (PDF)

 6.1. Size:309K  ixys
 ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf pdf_icon

IXFH110N25T

IXFH 110N10P VDSS = 100 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 110N10P ID25 = 110 APower MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

 8.1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH110N25T

 8.2. Size:95K  ixys
 ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf pdf_icon

IXFH110N25T

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.