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IXFH12N120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH12N120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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Principales características: IXFH12N120

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IXFH12N120

IXFH12N120P VDSS = 1200V PolarTM Power MOSFET IXFV12N120P ID25 = 12A HiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV) G DS Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V PLUS220SMD (IXFV_S) VDGR TJ = 25 C to 1

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IXFH12N120

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 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH12N120

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

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