IXFH12N120P Todos los transistores

 

IXFH12N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH12N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 543 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFH12N120P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFH12N120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ixys
 ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

IXFH12N120P VDSS = 1200VPolarTM Power MOSFETIXFV12N120P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VPLUS220SMD (IXFV_S)VDGR TJ = 25C to 1

 6.1. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 6.2. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETsIXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 7.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N100P , IXFH12N120 , 7N60 , IXFH12N50F , IXFH12N80P , IXFH12N90P , IXFH13N100 , IXFH13N90 , IXFH140N10P , IXFH14N100Q2 , IXFH14N60P .

History: PHD9NQ20T | FHU2N60A | LNC06R230

 

 
Back to Top

 


 
.