Справочник MOSFET. IXFH12N120P

 

IXFH12N120P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH12N120P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH12N120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ixys
 ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

IXFH12N120P VDSS = 1200VPolarTM Power MOSFETIXFV12N120P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VPLUS220SMD (IXFV_S)VDGR TJ = 25C to 1

 6.1. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 6.2. Size:144K  ixys
 ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETsIXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 7.1. Size:53K  ixys
 ixfh12n90q ixft12n90q.pdf pdf_icon

IXFH12N120P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AMR496N | HM6401 | STP5NB40 | 2P979B | SM2307PSA | DMK7N65 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.