IXFH15N80Q Todos los transistores

 

IXFH15N80Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH15N80Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 298 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 90 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH15N80Q

 

IXFH15N80Q Datasheet (PDF)

1.1. ixfh15n80q ixft15n80q.pdf Size:111K _ixys

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IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25C15 A IDM TC = 25C,

1.2. ixfh14n80 ixfh15n80.pdf Size:112K _ixys

IXFH15N80Q
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HiPerFETTM Power MOSFETs VDSS ID25 RDS(on) N-Channel Enhancement Mode ? ? ? ? IXFH14N80 800 V 14 A 0.70 ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family ? ? ? ? IXFH15N80 800 V 15 A 0.60 ? ? trr ? ? 250 ns ? ? Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25

 3.1. ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf Size:82K _ixys

IXFH15N80Q
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 600 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25C 15N60

3.2. ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf Size:116K _ixys

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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr ? 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 1000 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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