IXFH15N80Q - описание и поиск аналогов

 

IXFH15N80Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH15N80Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH15N80Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH15N80Q даташит

 ..1. Size:111K  ixys
ixfh15n80q ixft15n80q.pdfpdf_icon

IXFH15N80Q

IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25 C15 A IDM

 5.2. Size:112K  ixys
ixfh14n80 ixfh15n80.pdfpdf_icon

IXFH15N80Q

 7.1. Size:82K  ixys
ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdfpdf_icon

IXFH15N80Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

Другие MOSFET... IXFH14N60P , IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IRFZ48N , IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , IXFH16N80P , IXFH16N90Q , IXFH170N10P , IXFH17N80Q .

History: MDI6N60BTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.