IXFH20N80P Todos los transistores

 

IXFH20N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH20N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFH20N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  ixys
 ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf pdf_icon

IXFH20N80P

IXFH 20N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 20N80PID25 = 20 APower MOSFETIXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 20N80PStrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 5.1. Size:149K  ixys
 ixfh20n80q ixfk20n80q ixft20n80q.pdf pdf_icon

IXFH20N80P

IXFH20N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFK20N80Q ID25 = 20 APower MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-ClassN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated,Low Qg, High dv/dtPreliminary DataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800

 6.1. Size:226K  ixys
 ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFH20N80P

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFP20N85XPower MOSFET ID25 = 20AIXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXFP)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-247 (IXFH)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 4

 6.2. Size:288K  ixys
 ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf pdf_icon

IXFH20N80P

X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo

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History: SVS11N70FD2 | IXFP60N25X3 | BLP05N08G-Q | SIR330DP | IRL510SPBF | WM10N20M | UML2502L-AE3-R

 

 
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