IXFH20N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFH20N80P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFH20N80P
IXFH20N80P Datasheet (PDF)
ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf
IXFH 20N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 20N80PID25 = 20 APower MOSFETIXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 20N80PStrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RG
ixfh20n80q ixfk20n80q ixft20n80q.pdf
IXFH20N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFK20N80Q ID25 = 20 APower MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-ClassN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated,Low Qg, High dv/dtPreliminary DataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800
ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf
X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFP20N85XPower MOSFET ID25 = 20AIXFH20N85X RDS(on) 330m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXFP)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-247 (IXFH)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient 4
ixfa20n85xhv ixfh20n85x ixfa20n85xhv ixfp20n85x ixfh20n85x.pdf
X-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFA20N85XHVPower MOSFET ID25 = 20AIXFP20N85X RDS(on) 330m IXFH20N85XN-Channel Enhancement ModeTO-263HVAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 850 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VVGSS Continuo
ixfh20n85x.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFH20N85XFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRFPC50APBF
