3N159 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N159
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 240 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3N159 MOSFET
3N159 Datasheet (PDF)
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History: SJMN1K2R80ZD | RQJ0305EQDQS | SI4886DY | CEF02N6A | 2SK981A | MTP2N85
History: SJMN1K2R80ZD | RQJ0305EQDQS | SI4886DY | CEF02N6A | 2SK981A | MTP2N85



Liste
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