3N159 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3N159
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 240 Ohm
Тип корпуса: TO72
Другие MOSFET... 2SK996 , 2SK997 , 2SK998 , 3N124 , 3N125 , 3N126 , 3N140 , 3N141 , IRF630 , 3N163 , 3N164 , 3N169 , 3N170 , 3N171 , 3N175 , 3N176 , 3N177 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918